大家好，来看一则突发消息。

　　美(měi)光公司在华销售的(de)产品未通过(guò)网络安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室依法对(duì)美光公司在(zài)华销售(shòu)产品进(jìn)行了(le)网络安(ān)全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光(guāng)公司(sī)产品存在较严(yán)重网络(luò)安全问(wèn)题隐患(huàn)，对我国关键(jiàn)信息(xī)基础设施供应链造成重大安全风险，影响我国国家安全(几近是什么意思，几近什么意思拼音quán)。为此，网络安全(quán)审查办公(gōng)室依法作(zuò)出不予通过网络安全审查(chá)的结论。按照《网络(luò)安全(quán)法(fǎ)》等法(fǎ)律法规，我国内关键信息(xī)基础设施(shī)的运(yùn)营者(zhě)应停(tíng)止采购美光公司(sī)产(chǎn)品。

　　此次对美光(guāng)公司产(chǎn)品进(jìn)行网络安全审查(chá)，目的是防范(fàn)产(chǎn)品网(wǎng)络安(ān)全问(wèn)题(tí)危害(hài)国家(jiā)关键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设施安全，是维(wéi)护国家安全的必要措施。中国(guó)坚定推(tuī)进高(gāo)水平(píng)对外开放，只要遵(zūn)守(shǒu)中国法律法规(guī)要求，欢迎(yíng)各国(guó)企业、各类平台(tái)产品服(fú)务进入中(zhōng)国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称(chēng)，为(wèi)保(bǎo)障关键信息基础设施供应(yīng)链(liàn)安全(quán)，防范(fàn)产(chǎn)品问题隐患(huàn)造成网络安全风险，维护国家安全，依(yī)据(jù)《中华(huá)人民共和国国(guó)家安全法》《中华人(rén)民共和国网络安全法》，网络(luò)安全审查办公(gōng)室按照《网络安全审(shěn)查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品(pǐn)实施网络安全(quán)审查(chá)。

　　美光是美(měi)国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是(shì)全球(qiú)存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自中国市(shì)场收入从此(cǐ)前(qián)高峰57％降至2022年(nián)约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在(zài)全(quán)球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市(shì)公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美光等国际(jì)存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙(lóng)采(cǎi)购占(zhàn)比已经显著下降，至少已(yǐ)经不是(shì)主要大(dà)供应(yīng)商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存(cún)储晶(jīng)圆供(gōng)应(yīng)商，采购约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大(dà)、第二大和第三大供应商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产(chǎn)业链上下游(yóu)建立(lì)国(guó)内外广泛合作。2022年(nián)年报(bào)显示，江波(bō)龙(lóng)与三星、美光(guāng)、西部数(shù)据等(děng)主要(yào)存储晶圆原厂(chǎng)签署(shǔ)了(le)长期合(hé)约，确保存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司(sī)在下游市场的供应优势，公司也与(yǔ)国内(nèi)国(guó)产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存(cún)储(chǔ)、合肥长鑫(xīn)保持良好的(de)合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美(měi)光(guāng)在中国(guó)区(qū)销售受到限(xiàn)制，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上(shàng)游设备厂(chǎng)或(huò)从中受益。存(cún)储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和(hé)薄(báo)膜成为最关键、最大量的加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均需要(yào)经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可能(néng)会更深的孔或(huò)者沟槽，催(cuī)生更多设备(bèi)需(xū)求。据东(dōng)京电子披露(lù)，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资(zī几近是什么意思，几近什么意思拼音)本开支合(hé)计为75％。自长江存(cún)储被加入美国限制(zhì)几近是什么意思，几近什么意思拼音名单，设备(bèi)国产化进程(chéng)加速，看好拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额提升(shēng)，以及存储业(yè)务占比较(jiào)高(gāo)的(de)华海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入(rù)增长。

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